2003.12-2004.12, 2004.6-2005.12, 2006.3-2006.11在香港理工大学应用物理系工作；

2005.12-2006.3 在法国CNRS国家实验室访问；

2006.11-2007.9在德国波恩大学做洪堡学者；

2007.9-2009.9在日本筑波大学做JSPS特别研究员；

2009.10-现在任职南京理工大学。

1995.9年进入南京大学，1999.6年在南京大学获学士学位，2004.12年在南京大学获理学博士学位。

中国《电子元器件关键材料与技术专委会》常委

中国《硅酸盐学会微纳技术分会》理事

高科技企业技术顾问

1.耐高温抗辐射的HfO2基铁电存储原型器件研究，国家自然科学基金面上项目(62374090)，直接经费47万，项目负责人，2024.01-2027.12

2.通过铁电畴和晶粒功能基元序构提高大功率压电陶瓷综合性能的研究，国家自然科学基金重大项目培育项目(92263105)，直接经费57万，项目负责人，2023.01-2025.12

3. 铁电半导体新材料与光能源原型器件，国家自然科学基金重大项目课题（51790492），直接经费314万，课题负责人，2018.01-2022.12。

4. PZT等柔性氧化物铁电薄膜及其全无机柔性电子器件的研究，国家自然科学基金面上项目（61874055），直接经费64万，项目负责人，2019.01-2022.12

5. 通过晶格严重畸变和电畴精细调控探索BiFeO3等材料的多铁和半导体性能，国家自然科学基金面上项目(51472118)，经费83万，项目负责人，2016.01-2018.12

6. 铁电极化调控铁电薄膜电子稳态输运过程的研究，国家自然科学基金重点课题(11134004)，直接经费300万，项目第二负责人（管理150万经费），2012.01-2016。

7. 对铁电极化和半导体性能相互耦合的材料-铁电半导体的研究，国家自然科学基金面上项目（51072081），经费37万，项目负责人，2011.01-2013.12。

在铁电、半导体材料与原型器件领域发表250余篇SCI论文，论文被引用7000余次，获授权中国发明专利20余项。

论文列表见www.pld-njust-edu.com。2024年部分论文如下：

N. N. Liu, C. L. Luo, H. D. Wu, Y. C. Ding, X, B. Lu*, Z. B. Yan, J. M. Liu, G. L. Yuan*, Precise control of fatigue, wake-up, charge injection, and break-down in Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memories[J]. Applied Physics Letters, 2024, 124(19): 192905.

J. Li, X. F. Zhao, Y. Xia, X. Y. Qi, C. G. Jiang, Y. H. Xiao, F. Jiang*, X. Q. Jiang, G. L. Yuan*, Strontium‐Containing Piezoelectric Biofilm Promotes Dentin Tissue Regeneration[J]. Advanced Materials, 2024: 2313419.

X. L. Tang, L. Li, Y. T. Song, Y. X. Dai, Y. Yang, D. Gray, G. L. Yuan*, Y. J. Wang*, Pyro-catalysis for refrigerator disinfection via ubiquitous temperature fluctuation[J]. Nano Energy, 2024, 125: 109574.

21. 杨晨，谢忠帅，袁国亮，ITO玻璃/BiVO4纳米棒@Bi2FeCrO6/纳米粒子催化材料及其制备方法，专利号：ZL 2020 1 0368445.0

20. 朱逸，吕兴杰，袁国亮，一种张应变可逆动态调控的MAxFA1-xPbI3单晶薄膜及其制备方法，专利号：202010285495.2

19. 曹博，汪尧进，袁国亮，一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法,专利号：202010366784.5

18. 赵泽恩，曹博，袁国亮，一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法，专利号：202010285496.7

17. 曾寿信，赵泽恩，袁国亮，一种铅位掺杂MAFAPbI3单晶薄膜材料及其制备方法，专利号：202010368474.7

16.袁国亮，万磊，赵泽恩，马晓姿，一种CsPbBr3铁电单晶薄膜及通过拉伸应变诱导其发生顺电-铁电相变的方法，专利号：202010341325.1

15.  陈朗，马晓姿，袁国亮，一种压电材料及其制备方法以及一种多层致动器及其制备方法,专利号：201910682484.5

14. 袁国亮，谢忠帅，苏留帅，无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法,专利号：ZL 201810697031

13. 张伟飞，袁国亮，穆罕默德·阿德南·凯瑟，一种复合高温压电陶瓷材料，专利号： 201710357002

12. 高焕，苏留帅， 袁国亮，一种透明柔性氧化物铁电存储器，专利号：201710333577

11. 谢忠帅，杨玉玺，马赫，袁国亮，一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，专利号：201611120850

10. 徐玉青，袁国亮，杨玉玺 ，马赫 ，刘治国，一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，专利号：201510753796.2

9.  袁国亮，马赫，常磊，高文秀，一种铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法，专利号 No.201310671979.0

8.  骆溁，陈江鹏，马赫，袁国亮，刘治国，一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法，专利号：No.201310223929.6

7.  袁国亮，王海洋，骆溁，马赫, 一种自清洁喷涂液制造及使用方法，专利号 No.201210514852.3

6.  邵思龙，陈江鹏，袁国亮，何伟基，陈饯，高透射率的钒基多层超晶格薄膜及其制备方法，专利号No.201210127760.X

5.  袁国亮，徐锋，杨晓智，王海洋，刘明，使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法，专利号 No.201110031966.8

4. 袁国亮，徐锋，杜宇雷，陈光，在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法,专利号：201010557401.9

3. 陈孝敏, 刘璐，袁国亮，一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方法,专利号：201010559251.5

2. 王海洋，孙晨，袁国亮，低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,专利号：201010559109.0

1. 袁国亮，刘俊明，王一平，刘治国, 一种磁电耦合陶瓷材料及其制备方法,专利号：200410064900.9

本科生课程：《半导体材料与器件》、《材料物理基础》、《教授研讨课》；研究生课程：《光电功能材料实验》。

指导博士研究生15名；指导硕士研究生30余名。

已毕业12名博士研究生：华为（1）、上海微电子（1）、上海半导体研发中心（1）、南京大学（1）、湖北大学（1）、美国Bruker （1）、山东省能源集团（1）、成都光明光电(1)、、巴基斯坦（2）、政府质检部门（1）。

已经毕业近30名硕士研究生，目前工作单位：台积电（2人），京东方（2人），厦门钨业（2人），知识产权局（2人），三星电子（1人），西部数据（1人），中车集团（1人），南京大学博士生（1人），香港英国保诚保险（1人），南通通富微电子（1人）。