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硕士报考志愿采集    更新日期：2020年10月28日
姓 名 黄同德 性 别 男
出生年月 1985年6月 籍贯 安徽安庆
民 族 汉族 政治面貌 群众
最后学历 博士研究生 最后学位 哲学博士
技术职称 副教授 导师类别 博士生导师
导师类型 校内 兼职导师 否
行政职务 Email tongdeh@njust.edu.cn
工作单位 电子工程与光技术学院 邮政编码
通讯地址
单位电话
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指导学科
学科专业(主) 0809|电子科学与技术 招生类别 博、硕士 所在学院 电子工程与光电技术学院
研究方向

研究方向：

(1)化合物微波集成电路芯片（MMIC）

(2)CMOS毫米波集成电路芯片

(3)微波器件物理与仿真模型建立

包括功率放大器，混频器，低噪声放大器，本振信号源等,应用目标为雷达制导探测，5G毫米波通信等前端系统；有源无源高频器件建模，服务于芯片设计与系统优化。

招生指导：欢迎有兴趣与积极向上的，硕士、博士（兼指导）研究生，通过email联系

瞄准研究方向：

研究方向将与其他老师在有源无源电路，阵列天线、信号处理、雷达系统等领域开展多维度合作，推进研究成果科学化与实用化

 
工作经历

2017.07-至今                南京理工大学,                   副教授

2016.05-2017.06             瑞典查尔姆斯理工大学,           Researcher

2014.05-2017.06             瑞典查尔姆斯理工大学,           博士后

2013.12-2014.04             香港科技大学,                   研究助理

教育经历

2009.08-2013.12             香港科技大学,                    博士(电子与计算机)

2006.08-2009.07             中国科学院上海硅酸盐所,          硕士（光学）

2002.09-2006.07             吉林大学,                        学士（物理）

获奖、荣誉称号

2012年，                                                      IEEE International, The Best Student Paper Awards

2018年，                              江苏省双创博士

2019年，                              南京市留学人才B类

科研项目

主持及参与科研项目

（1）军委×××重点项目，       ×××卫星×××验证

（2）江苏省科技厅重点项目，     面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系统关键技术研发

（3）国家自然科学基金项目，     新型高性能纳秒级恢复时间氮化镓低噪声放大器研究

（4）留学人员科技创新项目择优资助(B类)，    毫米波氮化镓集成收发前端芯片研发

（5）江苏省创新创业项目，      

（6）军委×××特区项目，      ×××RCS×××载荷技术

（7）军委×××重大项目，      ×××多功能×××系统

发表论文

         目前已发表SCI和EI学术论文26余篇，其中以第一作者身份在相关领域国际顶级期刊IEEE Trans.和Letters上发表论文10篇，五年内论文被引用273次，单篇最高他引次数为52次，所发表成果两次被国际权威半导体期刊《Semiconductor Today》专题重点报道.

五篇代表作如下：

(1) H. Tao, J. Wang, Y. Wang, D. Ma, H. Cao, W. Wu, T. Huang*, High-Power Ka/Ku Dual-Wideband GaN Power Amplifier with High Input Isolation and Transformer-Combined Load Design, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2020

(2) T. Huang*, O Axelsson, J Bergsten, M Thorsell, N Rorsman, Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020

(3) T. Huang*, O Axelsson, J Bergsten, M Thorsell, N Rorsman, Achieving low-recovery time in AlGaN/GaN HEMTs with AlN interlayer under low-noise amplifiers operation, IEEE Electron Device Letters, 2017

(4) T. Huang*, O. Axelsson, D. TNT, M. Thorsell, D. Kuylenstierna, Rorsman, N, Influence on Noise Performance of GaN HEMTs With In Situ and Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivation, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016

(5) T. Huang*,A Malmros, J Bergsten, S Gustafsson, O Axelsson, M Thorsell, Rorsman, N, Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiNx Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition, IEEE Electron Device Letters, 2015

出版专著和教材

Book Chapters:

Compound semiconductor materials and devices

Z. Liu, T. Huang, Q. Li, X. Lu, X. Zou

Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies 2 (3), 1-73

Publishers: Morgan & Claypool

指导学生情况

博士研究生：

（1）马×东

（2）王  ×

（3）曹×璋

硕士研究生：

（4）沈×培（入职熊猫电子，从事功率放大器研究设计）

（5）顾×昀

（6）胡×飞

（7）曹×云  

（8）尹×韬

（9）曹   × 

（10）倪×初

每年根据招生情况，招生 2-3 名研究生，欢迎科研训练及毕设设计开始相关研究