2003.12-2004.12, 2004.6-2005.12, 2006.3-2006.11在香港理工大学应用物理系工作；
2005.12-2006.3 在法国CNRS国家实验室访问；
2006.11-2007.9在德国波恩大学做洪堡学者；
2007.9-2009.9在日本筑波大学做JSPS特别研究员；
2009.10-现在任职南京理工大学。
1995.9年进入南京大学，1999.6年在南京大学获学士学位，2004.12年在南京大学获理学博士学位。
1. 铁电半导体新材料与光能源原型器件，国家自然科学基金重大项目课题（51790492），直接经费314万，课题负责人，2018.01-2022.12。
2. PZT等柔性氧化物铁电薄膜及其全无机柔性电子器件的研究，国家自然科学基金面上项目（61874055），直接经费64万，项目负责人，2019.01-2022.12
3. 通过晶格严重畸变和电畴精细调控探索BiFeO3等材料的多铁和半导体性能，国家自然科学基金面上项目(51472118)，经费83万，项目负责人，2016.01-2018.12
4. 对铁电极化和半导体性能相互耦合的材料-铁电半导体的研究，国家自然科学基金面上项目（51072081），经费37万，项目负责人，2011.01-2013.12。
5. 铁电极化调控铁电薄膜电子稳态输运过程的研究，国家自然科学基金重点课题(11134004)，直接经费300万，项目第二负责人（管理150万经费），2012.01-2016。
在铁电、半导体材料与原型器件领域发表170余篇SCI论文，论文被引用4000余次，获授权中国发明专利10余项。
2013-2019年发表的代表性论文包括：Nature Commun.(2)、Adv. Mater.(5)、Angew. Chem. Int.Ed.(1)、Sci. Adv.(1)、ACS Nano (3)、Nano Energy (2)、NPG Asia Mater. (1), Materials Today (2), ACS Appl. Mater. Interf. (5), Adv. Electron. Mater.(5)。
16. 陈朗，马晓姿，袁国亮，一种压电材料及其制备方法以及一种多层致动器及其制备方法,申请号：201910682484.5
15. 袁国亮，谢忠帅，苏留帅，无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法,申请号：201810697031
14. 张伟飞，袁国亮，穆罕默德·阿德南·凯瑟，一种复合高温压电陶瓷材料，申请号： 201710357002
13. 高焕，苏留帅， 袁国亮，一种透明柔性氧化物铁电存储器，申请号：201710333577
12. 谢忠帅，杨玉玺，马赫，袁国亮，一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器，申请号：201611120850
11. 郑鹏，艾哈迈德 侯赛因，张伟飞，徐玉青，袁国亮，复合高温压电陶瓷材料及其制备方法，申请号：201610904233
10. 徐玉青，袁国亮，杨玉玺 ，马赫 ，刘治国，一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，专利号：201510753796.2
9. 袁国亮，马赫，常磊，高文秀，一种铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法，专利号 No.201310671979.0
8. 骆溁，陈江鹏，马赫，袁国亮，刘治国，一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法，专利号：No.201310223929.6
7. 袁国亮，王海洋，骆溁，马赫, 一种自清洁喷涂液制造及使用方法，专利号 No.201210514852.3
6. 邵思龙，陈江鹏，袁国亮，何伟基，陈饯，高透射率的钒基多层超晶格薄膜及其制备方法，专利号No.201210127760.X
5. 袁国亮，徐锋，杨晓智，王海洋，刘明，使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法，专利号 No.201110031966.8
4. 袁国亮，徐锋，杜宇雷，陈光，在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法,专利号：201010557401.9
3. 陈孝敏, 刘璐，袁国亮，一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方法,专利号：201010559251.5
2. 王海洋，孙晨，袁国亮，低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,专利号：201010559109.0
1. 袁国亮，刘俊明，王一平，刘治国, 一种磁电耦合陶瓷材料及其制备方法,专利号：200410064900.9
本科生课程：《半导体材料与器件》、《材料物理基础》、《教授研讨课》；研究生课程：《光电功能材料实验》。
指导博士研究生10名；指导硕士研究生26名。
已毕业6名博士研究生：1名博士在Intel研发中心工作，1名博士在成都光明光电研发中心工作，两名博士目前在美国工作，一名巴基斯坦博士在深圳大学做博士后，一名巴基斯坦博士在本国任教。
已经毕业17名硕士研究生，目前工作单位：台积电（2人），京东方（2人），厦门钨业（2人），知识产权局（2人），三星电子（1人），西部数据（1人），中车集团（1人），南京大学博士生（1人），香港英国保诚保险（1人），南通通富微电子（1人）。