洪根深*
  • 出生年月:1973年7月
  • 民 族: 汉族
  • 政治面貌: 无党派人士
  • 技术职称: 研究员级高级工程师
  • 导师类别: 博士生导师
  • 邮箱:gshhong@sina.com
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更新日期 2023年6月16日
指导学科
  • 主学科
  • 二级学科
  • 研究方向
  • 跨学科
  • 二级学科
  • 研究方向
  • 专业学位
  • 研究方向
工作经历

2002.08~2012.12      中国电科58所助理工程师、工程师、高级工程师

2012.01~2018.13      中国电科58所研究室副主任、主任、副总工程师

2018.03~至今           中国电科集团首席专家、首席科学家

获奖、荣誉称号

2007年   获国防科技进步二等奖

2010年   获国防科技进步一等奖

2016年   获国防科技进步二等奖

2017年   获国防科技进步一等奖

2018年   获国家科技进步二等奖

2019年   获国防科技进步一等奖

科研项目

1、*****0.5um SOI/CMOS工艺及单元建库技术,2006年~2009年,经费约500万元,项目负责人

2、*****100V~300V高压SOI工艺平台,2010年~2013年,经费约1700万元,项目负责人

3、*****ONO/MTM反熔丝工艺及系列产品,2012年~2016年,经费约2450万元,项目负责人

4、*****0.13um~0.18um CMOS工艺平台,2014年~2017年,经费约23000万元,项目负责人

5、*****100万门反熔丝FPGA工程实用化技术,2015年~2017年,经费约2500万元,项目负责人

6、*****0.13um eflash工艺平台,2022年~2024年,经费约5500万元,项目负责人